SEMiX202GB066HDs

SEMiX202GB066HDs
zoom Увеличить изображение
SEMiX202GB066HDs SEMiX202GB066HDs SEMiX202GB066HDs
Цена: 55.20 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SEMiX202GB066HDs — IGBT полумост (GB) в корпусе SEMiX® 2s

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 600 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 200 А
SEMiX® 2s количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   600 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 274 А
Tc = 80 °C 207 А
ICnom номинальный ток коллектора   200 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 400 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   - 20 ... + 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 360 В;  VGE <= 20 В;  VCES <= 600 В Tj = 125 °C 6 мкс
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 291 A
Tc = 80 °C 214 A
IFnom номинальный ток   200 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 1000 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 200 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,45 1,85 B
Tj = 150 °C   1,7 2,1 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,9 1,0 B
Tj = 150 °C   0,85 0,9 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   2,8 4,3 мОм
Tj = 150 °C   4,3 6,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 3,2 мА 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C   0,15 0,45 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   12,3   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,77   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,37   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   1600   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   1,0   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC =300 В;

IC = 200 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 4,2 Ом;

RGoff = 4,2 Ом;

di/dton =  А/мкс;

di/dtoff =  А/мкс

 Tj = 150 °C   65   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   80   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   6   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   545   нс
tf время спада Tj = 150 °C   95   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   8   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,21 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 200 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   1,4 1,6 B
Tj = 150 °C   1,4 1,6 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 0,9 1,0 1,1 B
Tj = 150 °C 0,75 0,85 0,95 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 1,5 2,0 2,5 мОм
Tj = 150 °C 2,3 2,8 3,3 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 200 А;

di/dtoff = 3900 A/мкс;

VGE = - 8 В;

VCC = 300 В

 Tj = 150 °C   205   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   28   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   6,5   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,27 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     18   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,7   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,045   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       250 грамм