| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| мин. |
ном. |
макс. |
| IGBT-транзистор |
| VCE(sat) |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
IC = 150 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,7 |
2,15 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
2,0 |
2,45 |
B |
| VCE0 |
пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
|
Tj = 25 °C |
|
1,0 |
1,2 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
0,9 |
1,1 |
B |
| rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 В |
Tj = 25 °C |
|
4,7 |
6,3 |
мОм |
| Tj = 125 °C |
|
7,3 |
9,0 |
мОм |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE; IC = 6 мА |
5,0 |
5,8 |
6,5 |
B |
| ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0;
VCE = VCES
|
Tj = 25 °C |
|
|
0,3 |
мА |
| Tj = 150 °C |
|
|
|
мА |
| Cies |
входная емкость |
VCE = 25 В; VGE = 0
|
f = 1 МГц |
|
10,8 |
|
нФ |
| Coes |
выходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,6 |
|
нФ |
| Cres |
обратная переходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,5 |
|
нФ |
| QG |
заряд затвора |
VGE = - 8 В….+ 15 В |
|
1695 |
|
нКл |
| RGint |
внутреннее сопротивление затвора |
Tj = 25 °C |
|
2,5 |
|
Ом |
| td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 600 В;
IC = 150 А;
VGE = ± 15 В;
RGon = 6,8 Ом;
RGoff = 6,8 Ом;
|
Tj = 150 °C |
|
70 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
Tj = 150 °C |
|
45 |
|
нс |
| Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
Tj = 150 °C |
|
15 |
|
мДж |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
Tj = 150 °C |
|
580 |
|
нс |
| tf |
время спада |
Tj = 150 °C |
|
105 |
|
нс |
| Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
Tj = 150 °C |
|
22 |
|
мДж |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,14 |
K/Вт |
| Обратный диод |
| VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IF = 150 А;
VGE = 0 В; на уровне чипа
|
Tj = 25 °C |
|
1,6 |
1,8 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
1,6 |
1,8 |
B |
| VF0 |
пороговое напряжение |
|
Tj = 25 °C |
|
1,0 |
1,1 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
0,8 |
0,9 |
B |
| rF |
сопротивление в открытом состоянии |
|
Tj = 25 °C |
|
4,0 |
4,7 |
мОм |
| Tj = 125 °C |
|
5,3 |
6,0 |
мОм |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IF = 150 А;
di/dtoff = 4900 A/мкс;
VGE = - 15В;
|
Tj = 125 °C |
|
240 |
|
А |
| Qrr |
заряд восстановления |
Tj = 125 °C |
|
42 |
|
мкКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
Tj = 125 °C |
|
18 |
|
мДж |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
0,33 |
K/Вт |
| Модуль |
| LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
|
|
20 |
нГн |
| RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника |
Tc = 25 °C |
|
0,7 |
|
мОм |
| Tc = 125 °C |
|
1,0 |
|
мОм |
| Rth(c-s) |
тепловое сопротивление корпус-теплоотвод |
для модуля |
|
0,04 |
|
K/Вт |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M5 |
3 |
|
5 |
Н · м |
| Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M6 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
|
289 |
грамм |
