SEMiX303GB12E4p

SEMiX303GB12E4p
zoom Увеличить изображение
SEMiX303GB12E4p SEMiX303GB12E4p SEMiX303GB12E4p SEMiX303GB12E4p
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SEMiX303GB12E4p — электроизолированный IGBT полумост (GB) в корпусе SEMiX® 3p

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 300 А
SEMiX® 3p количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:  http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 466 А
Tc = 80 °C 359 А
ICnom номинальный ток коллектора   300 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom 900 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   - 20 ... + 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 800 В;  VGE <= 20 В;  VCES <= 1200 В Tj = 150 °C 10 мкс
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 378 A
Tc = 80 °C 284 A
IFnom номинальный ток   300 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 3 x IFnom 900 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 1485 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 300 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,8 2,05 B
Tj = 150 °C   2,2 2,4 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,8 0,9 B
Tj = 150 °C   0,7 0,8 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   3,3 3,8 мОм
Tj = 150 °C   5,0 5,3 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 11,4 мА 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C     4,0 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   18,5   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,22   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   1,04   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   1695   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   2,5   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 300 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 1,3 Ом;

RGoff = 1,3 Ом;

di/dton = 6000 А/мкс;

di/dtoff = 6000 А/мкс

 Tj = 150 °C   190   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   50   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   19   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   600   нс
tf время спада Tj = 150 °C   120   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   40   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,095 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 300 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   2,2 2,52 B
Tj = 150 °C   2,15 2,47 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 1,1 1,3 1,5 B
Tj = 150 °C 0,7 0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 2,7 3,0 3,4 мОм
Tj = 150 °C 3,5 4,2 4,6 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 300 А;

di/dtoff = 6000 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 600 В

 Tj = 150 °C   300   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   45   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   20   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,15 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   1,2   мОм
Tc = 125 °C   1,65   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   6 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 3   6 Н · м
w масса       340 грамм