SEMiX352GB128Ds

SEMiX352GB128Ds
zoom Увеличить изображение
SEMiX352GB128Ds SEMiX352GB128Ds SEMiX352GB128Ds
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 200

SEMiX352GB128Ds — электроизолированный IGBT полумост (GB) в корпусе SEMiX® 2s

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 200 А
SEMiX® 2s количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 377 А
Tc = 80 °C 268 А
ICnom номинальный ток коллектора   200 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 400 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   - 20 ... + 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 600 В;  VGE <= 20 В;  VCES <= 1200 В Tj = 125 °C 10 мкс
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 297 A
Tc = 80 °C 204 A
IFnom номинальный ток   200 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 2000 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 200 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,9 2,35 B
Tj = 125 °C   2,1 2,55 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,0 1,15 B
Tj = 125 °C   0,9 1,05 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   4,5 6,0 мОм
Tj = 125 °C   6,0 7,5 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 8 мА 4,5 5,0 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C   0,1 0,3 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   18,9   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,24   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,78   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   1920   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   2,0   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 200 А;

 

RGon = 3 Ом;

RGoff = 3 Ом;

 

 Tj = 125 °C   230   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   55   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   20   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   585   нс
tf время спада Tj = 125 °C   90   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   21   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,083 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 200 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8 2,3 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 0,75 1,1 1,45 B
Tj = 125 °C 0,5 0,85 1,2 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 3,8 4,5 5,3 мОм
Tj = 125 °C 4,0 4,8 5,5 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 200 А;

di/dtoff = 5350 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   240   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   31   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   11   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,15 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера       18 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,7   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,045   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       250 грамм