SEMiX353GD176HDc

SEMiX353GD176HDc
zoom Увеличить изображение
SEMiX353GD176HDc SEMiX353GD176HDc SEMiX353GD176HDc
Цена: 299.09 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация IGBT модуля: 3-фазный мост

SEMiX353GD176HDc — трёхфазный IGBT мост (GD) в корпусе SEMiX® 33c

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 225 А
SEMiX® 33c количество в упаковке 2 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1700 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 353 А
Tc = 80 °C 251 А
ICnom номинальный ток коллектора   225 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 450 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   - 20 ... + 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 1000 В;  VGE <= 20 В;  VCES <= 1700 В Tj = 125 °C 10 мкс
Tj температура перехода   - 55 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 428 A
Tc = 80 °C 289 A
IFnom номинальный ток   225 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 450 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 1800 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 225 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,0 2,45 B
Tj = 125 °C   2,45 2,9 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,0 1,2 B
Tj = 125 °C   0,9 1,1 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   4,4 5,6 мОм
Tj = 125 °C   6,9 8,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 9 мА 5,0 5,8 6,4 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C     3,0 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   19,9   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,83   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,66   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   2100   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   2,83   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 225 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 5,6 Ом;

RGoff = 5,6 Ом;

di/dton =  А/мкс;

di/dtoff =  А/мкс

 Tj = 125 °C   250   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   75   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   155   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   930   нс
tf время спада Tj = 125 °C   180   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   85   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,086 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 225 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   1,6 1,75 B
Tj = 125 °C   1,5 1,7 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 0,9 1,0 1,3 B
Tj = 125 °C 0,7 0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 2,0 2,0 2,0 мОм
Tj = 125 °C 2,7 2,7 2,7 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 225 А;

di/dtoff = 4000 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 1200 В

 Tj = 125 °C   280   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   83   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   45   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,13 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,7   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,014   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       900 грамм