SEMiX453GAL17E4s

SEMiX453GAL17E4s
zoom Увеличить изображение
SEMiX453GAL17E4s SEMiX453GAL17E4s SEMiX453GAL17E4s
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 600
Конфигурация IGBT модуля: Нижний чоппер

SEMiX453GAL17E4s — нижний IGBT чоппер (GAL) в корпусе SEMiX® 3s

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 450 А
SEMiX® 3s количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1700 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 762 А
Tc = 80 °C 579 А
ICnom номинальный ток коллектора   450 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom 1350 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к короткому замыканию VCC = 1000В;     VGE <= 15 В; VCES <= 1700 В Tj = 150 °C 10 мкс
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 482 A
Tc = 80 °C 354 A
IFnom номинальный ток   450 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 900 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 2565 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 450 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,9 2,2 B
Tj = 150 °C   2,26 2,45 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 150 °C   1,0 1,1 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   1,8 2,2 мОм
Tj = 150 °C   2,8 3,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 18 мА 5,2 5,8 6,4 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1700 В

 Tj = 25 °C     5,0 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   36   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,5   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   1,14   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   3600   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   1,67   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 450 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 3,3 Ом;

RGoff = 3,3 Ом;

di/dton = 7000 А/мкс;

di/dtoff = 2220 А/мкс

 Tj = 150 °C   455   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   65   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   250   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   960   нс
tf время спада Tj = 150 °C   170   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   190   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,056 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 450 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   1,98 2,37 B
Tj = 150 °C   2,11 2,52 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 1,16 1,32 1,56 B
Tj = 150 °C   1,08 1,22 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 1,2 1,5 1,8 мОм
Tj = 150 °C   2,3 2,9 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 450 А;

di/dtoff = 62400 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 1200 В

 Tj = 150 °C   440   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   150   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   100   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,125 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,7   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       300 грамм