SEMiX453GB176HDs

SEMiX453GB176HDs
zoom Увеличить изображение
SEMiX453GB176HDs SEMiX453GB176HDs SEMiX453GB176HDs
Цена: 128.33 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 460
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SEMiX453GB176HDs — IGBT полумост (GB) в корпусе SEMiX® 3s

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 300 А
SEMiX® 3s количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1700 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 444 А
Tc = 80 °C 315 А
ICnom номинальный ток коллектора   300 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 600 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   - 20 ... + 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 1000 В;  VGE <= 20 В;  VCES <= 1700 В Tj = 125 °C 10 мкс
Tj температура перехода   - 55 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 545 A
Tc = 80 °C 365 A
IFnom номинальный ток   300 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 600 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 2900 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 300 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,0 2,45 B
Tj = 125 °C   2,5 2,9 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,0 1,2 B
Tj = 125 °C   0,9 1,1 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   3,3 4,2 мОм
Tj = 125 °C   5,2 6,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 12 мА 5,0 5,8 6,4 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1700 В

 Tj = 25 °C     3,0 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   26,4   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,10   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,88   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   2799   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   2,5   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 300 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 4,3 Ом;

RGoff = 4,3 Ом;

di/dton =  А/мкс;

di/dtoff =  А/мкс

 Tj = 125 °C   335   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   70   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   215   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   990   нс
tf время спада Tj = 125 °C   150   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   125   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,071 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 300 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   1,5 1,7 B
Tj = 125 °C   1,4 1,6 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 0,9 1,1 1,3 B
Tj = 125 °C 0,7 0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 1,3 1,3 1,3 мОм
Tj = 125 °C 1,8 1,8 1,8 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 300 А;

di/dtoff = 4700 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 1200 В

 Tj = 125 °C   350   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   115   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   65   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,11 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,7   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       300 грамм