SEMiX603GB066HDs

SEMiX603GB066HDs
zoom Увеличить изображение
SEMiX603GB066HDs SEMiX603GB066HDs SEMiX603GB066HDs
Цена: 113.55 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 600
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SEMiX603GB066HDs — IGBT полумост (GB) в корпусе SEMiX® 3s

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 600 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 600 А
SEMiX® 3s количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 600 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 720 А
Tc = 80 °C 541 А
ICnom номинальный ток коллектора   600 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 1200 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к короткому замыканию VCC = 360 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 600 В Tj = 150 °C 6 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 771 A
Tc = 80 °C 562 A
IFnom номинальный ток   600 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 1200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 1800 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 600 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,45 1,85 B
Tj = 150 °C   1.7 2,1 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,9 1,0 B
Tj = 150 °C   0,85 0,9 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   0,9 1,4 мОм
Tj = 150 °C   1,4 2,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 9,6 мА 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 600 В

 Tj = 25 °C   0,15 0,45 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   37   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   2,31   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   1,10   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   4800   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   0,67   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 300 В;

IC = 600 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 3 Ом;

RGoff = 3 Ом;

di/dton =  А/мкс;

di/dtoff =  А/мкс

 Tj = 150 °C   150   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   145   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   12   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   1050   нс
tf время спада Tj = 150 °C   105   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   43   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,087 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 600 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   1,4 1,6 B
Tj = 150 °C   1,4 1,6 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 0,9 1,0 1,1 B
Tj = 150 °C 0,75 0,85 0,95 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 0,5 0,7 0,8 мОм
Tj = 150 °C 0,8 0,9 1,1 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 600 А;

di/dtoff = 3800 A/мкс;

VGE = - 8 В;

VCC = 300 В

 Tj = 150 °C   350   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   63   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   13   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,11 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,7   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       300 грамм