SEMiX603GB12E4Ip

SEMiX603GB12E4Ip
zoom Увеличить изображение
SEMiX603GB12E4Ip SEMiX603GB12E4Ip SEMiX603GB12E4Ip SEMiX603GB12E4Ip
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 600
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SEMiX603GB12E4Ip — IGBT полумост  с шунтом в корпусе SEMiX® 3p shunt

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 600 А
SEMiX® 3p shunt количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 1110 А
Tc = 80 °C 853 А
ICnom номинальный ток коллектора   600 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom 1800 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   - 20 ... + 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 800 В;  VGE <= 20 В;  VCES <= 1200 В Tj = 150 °C 10 мкс
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 874 A
Tc = 80 °C 656 A
IFnom номинальный ток   600 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 3 x IFnom 1800 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 3645 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 600 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,8 2,05 B
Tj = 150 °C   2,03 2,3 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,87 1,01 B
Tj = 150 °C   0,77 0,9 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   1,6 1,7 мОм
Tj = 150 °C   2,1 2,3 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 22.2 мА 5,3 5,8 6,3 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C     5,0 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   37,5   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   2,31   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   2,04   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   3450   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   1,17   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 600 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 1,5 Ом;

RGoff = 1,5 Ом;

di/dton = 5100 А/мкс;

di/dtoff = 5100 А/мкс

 Tj = 150 °C   210   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   100   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   90   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   650   нс
tf время спада Tj = 150 °C   120   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   80   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,037 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 600 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   2,05 2,35 B
Tj = 150 °C   1,94 2,25 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 1,1 1,3 1,5 B
Tj = 150 °C 0,7 0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   1,3 1,4 мОм
Tj = 150 °C   1,7 1,9 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 600 А;

di/dtoff = 5100 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 600 В

 Tj = 150 °C   450   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   130   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   50   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,065 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   1,2   мОм
Tc = 125 °C   1,65   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   6 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 3   6 Н · м
w масса       340 грамм