SEMiX71GD12E4s

SEMiX71GD12E4s
zoom Увеличить изображение
SEMiX71GD12E4s SEMiX71GD12E4s SEMiX71GD12E4s
Цена: 82.71 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 100
Конфигурация IGBT модуля: 3-фазный мост

SEMiX71GD12E4s — трёхфазный IGBT мост (GD) в корпусе SEMiX® 13

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 75 А
SEMiX® 13s количество в упаковке 4 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1200 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 115 А
Tc = 80 °C 88 А
ICnom номинальный ток коллектора   75 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom 225 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   - 20 ... + 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 800 В;  VGE <= 20 В;  VCES <= 1200 В Tj = 150 °C 10 мкс
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 97 A
Tc = 80 °C 73 A
IFnom номинальный ток   75 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 3 x IFnom 225 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 429 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 600 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 75 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,85 2,1 B
Tj = 150 °C   2,3 2,45 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,8 0,9 B
Tj = 150 °C   0,7 0,8 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   14 16 мОм
Tj = 150 °C   20,7 22 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 3,0 мА 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C     1,0 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   4,4   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,29   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,29   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   425   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   10,0   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 75 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 1,0 Ом;

RGoff = 1,0 Ом;

di/dton = 2500 А/мкс;

di/dtoff = 930 А/мкс

 Tj = 150 °C   160   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   35   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   7,5   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   433   нс
tf время спада Tj = 150 °C   79   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   9   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,38 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 75 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   2,2 2,49 B
Tj = 150 °C   2,1 2,4 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C 1,1 1,3 1,5 B
Tj = 150 °C 0,7 0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C 10,7 11,6 13,2 мОм
Tj = 150 °C 14,0 16,1 17,6 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 75 А;

di/dtoff = 2700 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 600 В

 Tj = 150 °C   95   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   13   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   5,3   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,58 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     20   нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,7   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       350 грамм