SEMiX302KD16s — диод-диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMiX® 2
| Обозначение |
Наименование |
Значение |
Единица измерения |
| VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
1600 |
В |
|
IFAV
(sin.180; Tc=85°C)
|
Средний прямой ток диода |
300 |
А |
| SEMiX® 2 |
Количество в упаковке |
6 |
шт |
Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com
Цены на сайте указаны для оптовых количеств.
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| Чип |
| IFAV |
Средний прямой ток диода |
Sin. 180 ° |
Tc = 85 °C |
300 |
А |
| Tc = 100 °C |
240 |
А |
| IFSM |
Бросок прямого тока диода (ударный ток) |
10 мс |
Tj = 25 °C |
8500 |
А |
| Tj = 130 °C |
7500 |
А |
| i2t |
Значение i2t |
10 мс |
Tj = 25 °C |
361000 |
А2с |
| Tj = 130 °C |
281000 |
А2с |
| VRSM |
Неповторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1700 |
В |
| VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1600 |
В |
| Tj |
Температура перехода |
|
-40 ... +130 |
°C |
| Модуль |
| Tstg |
температура хранения |
|
- 40 ... +125 |
°C |
| VISOL |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение 50Гц, |
1 мин |
4000 |
В |
| 1c |
4800 |
В |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| мин. |
ном. |
макс. |
| Чип |
| VF |
(Постоянное) прямое напряжение |
Tj = 25 °C; IF = 900 A |
|
|
1,6 |
В |
| VT(TO) |
Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) |
Tj = 130 °C |
|
|
0,85 |
В |
| rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление |
Tj = 130 °C |
|
|
1,1 |
мОм |
| IRD |
Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток |
Tj = 130 °C; VRRM |
|
|
15 |
мА |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
Cont. DC |
для чипа |
|
|
|
K/Вт |
| для модуля |
|
|
|
K/Вт |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
Sin. 180 ° |
для чипа |
|
|
0,091 |
K/Вт |
| для модуля |
|
|
|
K/Вт |
| Модуль |
| Rth(c-s) |
тепловое сопротивление корпус-радиатор |
чип |
|
|
|
K/Вт |
| модуль |
|
0,045 |
|
K/Вт |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M5 |
3 |
|
5 |
Н · м |
| Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
| a |
Максимальное ускорение при вибрации |
|
|
|
5 * 9,81 |
m/s2 |
| m |
масса модуля |
|
|
250 |
|
грамм |
