"Динамические характеристики диодов Шоттки на основе SiC" Даниэл Приндл (Daniel Prindle); перевод и комментарии: Андрей Колпаков, адаптированный перевод на украинский язык и техническое редактирование: Сергей Полищук
В статье описаны основные особенности диодов из карбида кремния с барьером Шоттки (SiC SBD) и их отличия от так называемых (технологических) p-n-диодов MOSFET.
Данная статья была опубликована в 1-м номере журнала CHIP NEWS за 2023 год. Прочитать ее и другие материалы можно в журнале CHIP NEWS, который публикуется в электронном виде и находится в свободном доступе на Google Диске. Чтобы получить доступ к 1-му номеру журнала за 2023 год необходимо перейти по этой ссылке:
Читайте с пользой и удовольствием!