Предлагаем Вашему вниманию статью: "Влияние емкостной нагрузки кабеля на коммутационные потери", Арендт Винтрих (Arendt Wintrich), Райнер Вайс (Rainer Weiss; перевод: Владимир Павловский, редактирование: Сергей Полищук).
В технических характеристиках коммутационные потери приведены для индуктивной нагрузки, соответствующей требованиям IEC и допустимым условиям эксплуатации для большинства применений. В электроприводах малой и средней мощности с длинными кабелями к двигателю (например, сервоприводы) при определении коммутационных потерь необходимо учитывать значительную емкостную нагрузку. Такой информации нет в технических характеристиках, и ее трудно найти в публикациях. Приведенные в статье результаты исследований полезны для общего понимания темы и дают некоторые рекомендации относительно того, какие параметры следует учитывать. Эти результаты и рекомендации справедливы не для всех случаев применения, поэтому требуют дальнейшего уточнения.
Предлагаем Вашему вниманию статью: "Моделирование циклов нагрузки для линеек IGBT", Арендт Винтрих (Arendt Wintrich), Уве Шойерманн (Uwe Scheuermann); перевод: Владимир Павловский, редактирование: Сергей Полищук .
В данной статье компания Semikron Danfoss представляет новые показатели циклов сброс-накид нагрузки (power cycle, PC) для силовых полупроводниковых модулей с проводными соединениями чипов. Виды отказов, рассматриваемых в настоящей статье, включают деградацию припоя в чипе, растрескивание или отслоение основания соединительной проволоки в точках припайки, и в дополнение к вышеупомянутым отказам, также деградацию металлизации верхней стороны. Представленные ниже кривые не включают в себя активные и пассивные циклические изменения температуры, которые дополнительно напрягают и ухудшают пайку базовой пластины.
Вашему вниманию предлагается статья "Измерение пиковых напряжений модулей IGBT и требования к демпферному конденсатору", перевод и редактирование: Владимир Павловский.
Эта статья является руководством по применению модулей IGBT и содержит информацию о том, как выбрать и проверить демпферные конденсаторы модулей IGBT в системах большой мощности и как проверить эффективность их работы. Эта информация поможет предотвратить выход из строя модуля IGBT и/или демпферного конденсатора от электрической или тепловой перегрузки. Информация, приведенная в этом руководстве, содержит также советы по поводу того, какие параметры демпферного конденсатора следует учитывать и как выполнить необходимые измерения.
Предлагаем Вашему вниманию статью: "Биполярные модули следующего поколения: улучшенная теплопроводность и устойчивая конструкция", Пол Дрексхейдж (Paul Drexhage); переклад та редагування: Володимир Павловський, которая была опубликована в 1-м номере журнал CHIP NEWS за 2025 год.
Биполярные модули остаются надежным и экономически эффективным решением для промышленных приложений на частоте электросети. Хотя основная работа таких схем не изменилась, технология компоновки в модулях питания продолжает совершенствоваться.
Предлагаем Вашему вниманию статью: "Semikron Danfoss: компактные и эффективные преобразователи для электроприводов на основе модулей из карбида кремния", Карстен Шрайтер (Carsten Schreiter); перевод и редактирование: Сергей Полищук.
Статья основана на вебинаре, проведенном компанией Semikron Danfoss в октябре текущего года, который был посвящен реализации модулей SiC в преобразователях для электроприводов. В нем приведены три примера использования модулей на основе карбида кремния, которые показывают преимущества использования этих модулей и в каких случаях их внедрение целесообразно в первую очередь, даже с учетом их более высокой стоимости. Материал статьи структурирован следующим образом: в первой части рассмотрено использование модулей на основе карбида кремния во входном звене преобразователей, а именно в качестве активного выпрямителя, во второй части — классического инверторного привода. Отметим также, что сравнивать стоимость на уровне отдельного модуля (модулей) не имеет смысла. Оценка стоимости должна проводиться в комплексе. В этом случае при использовании SiC-модулей в преобразователях можно добиться желаемого результата благодаря своим преимуществам по сравнению с IGBT-модулями.