IGBT модулі
Компанія SEMIKRON виробляє IGBT модулі, напівмости, IGBT транзистори, модулі у різних корпусах, які відповідають певним технологічним характеристикам. Розрізняють вісім видів корпусів: SEMITRANS, SEMiX, SEMITOP, SKiiP IPM, Mini SKiiP, Mini SKiiP IPM, SKIM 4/5, SKIM 63/93.
SEMIKRON виробляє різноманітні типи силових напівпровідникових приладів:
- Модулі IGBT.
- Інтелектуальні модулі IGBT.
- Модулі MOSFET.
- Драйвери IGBT.
- Тиристори та діоди як у модульному виконанні, так і в дискретному.
IGBT транзистори
Біполярний транзистор з ізольованим затвором (БТІЗ) (англ. IGBT від англ. Insulated-gate bipolar transistor) — триелектродний силовий електронний прилад, що використовується в основному як потужний електронний ключ в імпульсних джерелах живлення, інверторах, в системах управління електричними приводами.
IGBT транзистори витісняють тиристори із високовольтних схем перетворення частоти та дозволяють створити імпульсні джерела вторинного електроживлення з характеристиками кращої якості.
IGBT напівмости та модулі
Semikron випускає широку гаму силової продукції в діапазоні струмів від 1 А до 100 А і напрузі від 200 до 3000 В. Найбільш відомі випрямні IGBT напівмости та діоди на великі струми.
Сьогодні компанія SEMIKRON пропонує вісім типів модулів IGBT у стандартних конструктивах із робочою напругою 600, 1200 та 1700 В.
IGBT транзистори використовуються досить широко в інверторах для керування електродвигунами, у потужних системах безперебійного живлення з напругою понад 1 кВ та струмами в сотні ампер.
