SKHI 10/12 R

SKHI 10/12 R
zoom Увеличить изображение
SKHI 10/12 R SKHI 10/12 R SKHI 10/12 R
Цена: 97.89 EUR

SKHI 10/12 R - IGBT драйвер SEMIKRON

         

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики
Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Vs Первичное напряжение питания 16 В
VIH Максимальное напряжение входного сигнала (высокий уровень) VS + 0,3 В
IoutPEAK Выходной пиковый ток ± 8 А
IoutAVmax Выходной средний ток ± 100 мА
VCE Напряжение коллектор-эмиттер (постоянное) 1700 В
dv/dt Стойкость к dv/dt 75 кВ/мкс
Visol IO Испытательное напряжение изоляции (АС / среднеквадратическое значение / 2 с) вход — выход 2500 В
RGon min Минимальное внешнее последовательное сопротивление затвора во включенном состоянии 2,7 Ом
RGoff min Минимальное внешнее последовательное сопротивление затвора в выключенном состоянии 2,7 Ом
Qout/puls Максимальное значение для выходного заряда в импульсе 9,6 мкКл
Top Рабочая температура - 25 ... + 85 °C
Tstg Температура хранения - 25 ... + 85 °C
Рабочие характеристики
Обозначение Наименование Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
VS Первичное напряжение питания 14,4 15,0 15,6 В
ISO Питающий ток на первичной стороне без нагрузки   90   мА
Vi Напряжение входного сигнала вкл. / выкл.   15 / 0   В
VIT+ Минимальное входное пороговое напряжение (для высокого уровня)     12,5 В
VIT- Максимальное входное пороговое напряжение (для низкого уровня) 3,6     В
RIN Входное сопротивление   10   кОм
VG(on) Напряжение включения затвора   + 15   В
VG(off) Напряжение выключения затвора   - 8   В
td(on)IO Длительность задержки распространения сигнала включения с входа на выход   1,4   мкс
td(off)IO Длительность задержки распространения сигнала выключения с входа на выход   1,4   мкс
td(err) Задержка распространения сигнала ошибки ERROR с входа на выход   1,0   мкс
Cps Переходная емкость между первичной обмоткой и каждой вторичной обмоткой   12   пФ