"Динамічні характеристики SiC-діодів Шотткі", Деніел Пріндл (Daniel Prindle); переклад і коментарі: Андрій Колпаков, адаптований переклад українською та технічне редагування: Сергій Поліщук.
У статті описано основні особливості карбідокремнієвих діодів з бар’єром Шотткі (SiC SBD) і їхні відмінності від так званих тільних (технологічних) p-n-діодів MOSFET.
Цю статтю було опубліковано в 1-му номері журналу CHIP NEWS за 2023 рік, що виходить в електронному вигляді та є у вільному доступі на гугл-диску. Для отримання доступу до 1-го номеру журналу за 2023 рік потрібно перейти за цим посиланням:
Читайте з користю та задоволенням!