Вашій увазі пропонується стаття: "Партнерство заради надійного постачання промислових силових модулів", Пол Дрексхейдж (Paul Drexhage); адаптований переклад українською та технічне редагування: Володимир Павловський.
Користувачі потужних напівпровідників в останні роки почали потерпати від проблем через нестабільне постачання компонентів. Тому пошук альтернативних постачальників завжди є важливим моментом при розробці силових перетворювачів. Компанія Semikron Danfoss, як найбільший незалежний виробник силових модулів, має унікальні можливості для вирішення цієї проблеми. Разом зі своїм давнім партнером компанією ROHM Semiconductor вона додає до своєї лінійки модулів малої потужності новий повністю сумісний модуль 1200 В IGBT. Це допоможе зменшити дефіцит силових модулів і зробити ланцюг постачання таких модулів більш стабільним та надійним.
Вашій увазі пропонується стаття: "Інтегрований силовий модуль забезпечує тепер на 25% більше потужності", Бернхард Айхлер (Bernhard Eichler); адаптований переклад українською та технічне редагування: Володимир Павловський.
На багато запитань щодо систем накопичення енергії можна легко відповісти одразу. Для цього просто ознайомтесь з відповідями Phoenix Contact на поширені запитання.
Вашій увазі пропонується стаття: "Компактні модулі IGBT MiniSKiiP: інструкція із застосування", Френк Стіглер (Frank Stiegler), Томас Гертген (Thomas Hurtgen); адаптований переклад українською та технічне редагування: Сергій Поліщук.
Компактні модулі сімейства MiniSKiiP надзвичайно популярні на ринку силової електроніки. Сьогодні понад 20 млн таких силових схем працює в частотних перетворювачах провідних європейських виробників: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Danfoss, Vacon. Близько 70% цих пристроїв — електропривод, виконавчі механізми промислових роботів, пресів і компресорів потужністю 5–40 кВт. Поява нових напівмостових модулів MiniSKiiP Dual дає змогу розширити діапазон до 100 кВт і більше, тепер вони можуть успішно конкурувати зі стандартними IGBT.
"Динамічні характеристики SiC-діодів Шотткі", Деніел Пріндл (Daniel Prindle); переклад і коментарі: Андрій Колпаков, адаптований переклад українською та технічне редагування: Сергій Поліщук.
У статті описано основні особливості карбідокремнієвих діодів з бар’єром Шотткі (SiC SBD) і їхні відмінності від так званих тільних (технологічних) p-n-діодів MOSFET.